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Si4966DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( Ω )
0.025 at V GS = 4.5 V
0.035 at V GS = 2.5 V
I D (A)
± 7.1
± 6.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S 1
G 1
S 2
G 2
1
2
3
4
8
7
6
5
D 1
D 1
D 2
D 2
G 1
D 1
G 2
D 2
Top View
Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4966DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S 1
N-Channel MOSFET
S 2
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 7.1
± 5.7
± 40
1.7
2
1.3
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient a
Symbol
R thJA
Limit
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: www.vishay.com/www/product/spice.htm .
Document Number: 70718
S09-0869-Rev. D, 18-May-09
www.vishay.com
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